集成電路熱控聯(lián)合實驗室揭牌 受訪者供圖

多晶金剛石熱沉片 受訪者供圖

　　11月11日，黃河旋風(fēng)與廈門大學(xué)薩本棟微米納米科學(xué)技術(shù)研究院成立集成電路熱控聯(lián)合實驗室，簽約暨揭牌儀式在河南許昌舉行。此舉將大力推動河南省金剛石在集成電路領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用。

　　據(jù)了解，為了促進企業(yè)科技進步，加快高?？萍汲晒a(chǎn)業(yè)化，推進產(chǎn)、學(xué)、研結(jié)合，黃河旋風(fēng)和廈門大學(xué)本著友好合作、共同發(fā)展的原則，成立“廈門大學(xué)薩本棟微米納米科學(xué)技術(shù)研究院—河南黃河旋風(fēng)股份有限公司集成電路熱控聯(lián)合實驗室”。實驗室成立之后，由廈門大學(xué)馬盛林教授和黃河旋風(fēng)王適博士，及黃河旋風(fēng)研發(fā)中心科研團隊共同組成項目研發(fā)小組。現(xiàn)場，廈門大學(xué)洪明輝教授和黃河旋風(fēng)總工程師王裕昌博士簽署了合作協(xié)議。

　　洪明輝在致辭中介紹，集成電路是國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，是中美科技競爭的關(guān)鍵點。金剛石憑借其化學(xué)和輻射惰性、高載流子遷移率、熱傳導(dǎo)和寬電子帶隙等卓越性能，展現(xiàn)出在集成電路領(lǐng)域的巨大應(yīng)用潛力，近來，美國已經(jīng)將金剛石等超寬禁帶半導(dǎo)體材料列入出口管制清單。在此背景下，共建集成電路熱控聯(lián)合實驗室，致力于推動金剛石在集成電路創(chuàng)新應(yīng)用研究，是主動服務(wù)國家戰(zhàn)略、服務(wù)區(qū)域產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級與創(chuàng)新發(fā)展的具體舉措。

　　成立的集成電路熱控聯(lián)合實驗室針對5G/6G、AI以及相控陣?yán)走_(dá)領(lǐng)域芯片散熱難題，開展基于金剛石材料的集成散熱應(yīng)用的創(chuàng)新研究。研究領(lǐng)域涉及多晶金剛石晶圓在高性能大功率芯片/器件的集成散熱應(yīng)用研究，復(fù)合金剛石材料界面性能優(yōu)化及集成散熱應(yīng)用，集成散熱用金剛石材料的制造技術(shù)開發(fā)，金剛石電化學(xué)傳感器的集成設(shè)計及應(yīng)用等。

　　黃河旋風(fēng)于2023年5月啟動了“面向高端應(yīng)用場景的CVD多晶金剛石薄膜開發(fā)”項目。一年來，黃河旋風(fēng)王適博士組建的科研團隊宵衣旰食、潛心篤志，攻克層層技術(shù)難關(guān)，在今年5月份，成功開發(fā)出了直徑2英寸，厚度0.3mm～1mm的多晶金剛石熱沉片，導(dǎo)熱性能指標(biāo)達(dá)到國外同類產(chǎn)品的水平。直徑2英寸，0.3mm及以上厚度的多晶金剛石膜雙面拋光后多晶金剛石膜表面粗糙度Ra＜4nm，翹曲度小于2μm，優(yōu)于國外同類產(chǎn)品，處于領(lǐng)先水平。該產(chǎn)品為成立的聯(lián)合實驗室開展“集成電路用金剛石材料研發(fā)和示范應(yīng)用”項目突破提供了堅實可靠的保障。

　　黃河旋風(fēng)總經(jīng)理龐文龍在致辭中指出，本次校企合作，既是實現(xiàn)校企雙方共同高質(zhì)量發(fā)展的現(xiàn)實需求，也是雙方相向而行、互惠互利的具體體現(xiàn)。雙方以項目研究為導(dǎo)向，將會形成良性互動、優(yōu)勢互補的產(chǎn)教深度融合發(fā)展格局，一定能取得豐碩的科研成果。

　　目前，中國金剛石產(chǎn)量占全球總產(chǎn)量的90%左右，面對高端制造業(yè)對新材料的迫切需求，金剛石發(fā)揮了優(yōu)異的材料性能和產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢。作為功能材料，金剛石的熱學(xué)、光學(xué)、電學(xué)及量子特性不斷開發(fā)，以金剛石應(yīng)用為主的熱管理材料、光學(xué)材料、半導(dǎo)體材料具有顯著的優(yōu)勢和巨大的發(fā)展?jié)摿Γ诂F(xiàn)代高科技領(lǐng)域和國防工業(yè)中扮演著重要角色，正成為國際競爭的新熱點。

　　龐文龍表示，黃河旋風(fēng)與廈門大學(xué)合作，聚焦功能性金剛石應(yīng)用技術(shù)和應(yīng)用領(lǐng)域，也將助力發(fā)展行業(yè)新質(zhì)生產(chǎn)力，加快我國超硬材料產(chǎn)業(yè)升級升鏈升活力。（記者 王新昌 吳俊池 李思遠(yuǎn) 文圖）